[13p-D411-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-D411-15] Composition dependence of forward current characteristics of (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si junction

〇Keisuke Muranushi¹, Ryoichi Nemoto¹, Hiroshi Sakanaga¹, Yujun Zhang², Hiroki Wadati², Koji Arafune¹, Haruhiko Yoshida¹, Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo(E), 2.Univ. of Hyogo(MS))

Keywords:transition metal oxide, silicon, strongly correlated electron system

モット絶縁体である(La1-xSrx)VO3[LSVO(x)]と Si 基板の直接接合に着目して研究を行っている。この接合は整流特性を示すが、その逆方向バイアス特性では一般的な半導体モデルでは説明できない抵抗スイッチング現象が見られるなど、LSVO による強相関物性の特異な現象を融合できる可能性を秘めている。今回は、順方向バイアス特性の組成依存性を調査したところ、さらに興味深い現象が観測されたのでそれについて報告する