[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D411-15] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si 接合の順方向電流特性の組成依存性

〇村主 圭佑¹、根元 亮一¹、阪永 裕士¹、Yujun Zhang²、和達 大樹²、新船 幸二¹、吉田 晴彦¹、堀田 育志¹ (1.兵県立工、2.兵県大理)

キーワード：遷移金属酸化物、シリコン、強相関電子系

モット絶縁体である(La1-xSrx)VO3[LSVO(x)]と Si 基板の直接接合に着目して研究を行っている。この接合は整流特性を示すが、その逆方向バイアス特性では一般的な半導体モデルでは説明できない抵抗スイッチング現象が見られるなど、LSVO による強相関物性の特異な現象を融合できる可能性を秘めている。今回は、順方向バイアス特性の組成依存性を調査したところ、さらに興味深い現象が観測されたのでそれについて報告する