[13p-D411-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-D411-16] Electrical transport properties of electron-doped Sr₃V₂O₇ (001) epitaxial thin film

〇Shintaro Fukuda¹, Daichi Oka¹, Noriaki Kimura¹, Tomoteru Fukumura^1,2,3 (1.Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, 3.CSIS&CSRN)

Keywords:thin film, correlated system, epitaxial growth

低次元のペロブスカイト型SrVO3類縁化合物がもつ電子状態を系統的に調査するため、層状ペロブスカイト型LaドープSr3V2O7エピタキシャル薄膜を合成し、電子ドープが電気伝導特性に及ぼす影響を評価した。d1–d1.5の領域での電子濃度や抵抗率はドープ量に対して極大・極小をそれぞれ示した。極低温では近藤効果由来と考えられる抵抗率極小が観測された。これはドープ量に伴い系統的に変化しており、イントリンジックなスピン散乱が示唆された。