[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D411-8] VO₂/TiO₂(001)極薄膜における電子状態の膜厚依存性

〇志賀 大亮^1,2、楊 以理¹、長谷川 直人¹、神田 龍彦¹、徳永 凌祐¹、北村 未歩²、湯川 龍²、吉松 公平¹、堀場 弘司²、組頭 広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

キーワード：強相関電子系、金属-絶縁体転移、光電子分光

VO₂は、室温付近で構造相転移を伴った急激な金属-絶縁体転移を示すことから、強相関デバイスとしての応用が期待されている。本研究では、膜厚を制御したVO₂/TiO₂(001)極薄膜を作製し、物性測定による電子相図作成、及びin-situ放射光光電子分光による電子状態評価を行った。その結果、VO₂薄膜は膜厚が2 nmまではその物性を維持することが示唆された。また、VO₂薄膜は臨界膜厚が1.0–1.5 nmで膜厚依存金属-絶縁体転移を示すことが明らかになった。