[13p-D411-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-D411-9] PrOエピタキシャル薄膜における遍歴強磁性

〇清水 宙一¹、阿部 展人¹、山本 卓¹、齋藤 大地¹、神永 健一²、岡 大地¹、福村 知昭^1,2,3,4 (1.東北大理、2.東北大AIMR & CRC、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

キーワード：希土類単酸化物、強磁性、パルスレーザ堆積法

パルスレーザー堆積法を用いて高品質なPrOエピタキシャル薄膜を初めて合成し、磁気特性および電気特性の評価を行った。PrOは30 K以下では磁場下冷却過程において強磁性的な挙動を示し、2 Kにおける自発磁化は約0.03 μ_B/f.u.と見積もられた。一方、電気伝導は金属的な温度依存性を示し、20 K以下でヒステリシスを伴う異常ホール効果が観測されたことから、PrOはキュリー温度約30 Kで、0に近い自発磁化を持つ遍歴強磁性体の可能性がある。