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[13p-D419-11] Fabrication of Vertical Schottky Barrier Diodes on β-Ga2O3 Substrates Prepared by Vertical Bridgman Method
Keywords:Ga2O3, Edge-defined Film-fed Growth method, Vertical Bridgman method
これまで我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth法(EFG法)を用いてβ-Ga2O3基板の大型化・高品質化に取り組んできた。しかしながら、EFG法は高価なIr製るつぼを用いる必要があるため、コスト低減に課題がある。最近、Vertical Bridgman 法(VB法)による高品質なβ-Ga2O3基板が実証された。VB法の場合、るつぼ材料はPt-Rh合金であり、EFG法よりも基板の製造コストを低減できる可能性がある。本研究では、EFG法とVB法にて作製した基板を用いて、縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) を試作し、その電気特性を比較したので報告する。