[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-11] VB法β-Ga₂O₃基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの作製

〇林 家弘¹、干川 圭吾^2,3、鍛治倉 惇³、ティユ クァントゥ¹、タンガラジャ アムタ¹、内田 悠貴¹、小石川 結樹¹、大塚 文雄¹、渡辺 信也¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.信州大工、3.不二越機械工業)

キーワード：酸化ガリウム、Edge-defined Film-fed Growth法、Vertical Bridgman 法

これまで我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth法（EFG法）を用いてβ-Ga₂O₃基板の大型化・高品質化に取り組んできた。しかしながら、EFG法は高価なIr製るつぼを用いる必要があるため、コスト低減に課題がある。最近、Vertical Bridgman 法（VB法）による高品質なβ-Ga₂O₃基板が実証された。VB法の場合、るつぼ材料はPt-Rh合金であり、EFG法よりも基板の製造コストを低減できる可能性がある。本研究では、EFG法とVB法にて作製した基板を用いて、縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (SBD) を試作し、その電気特性を比較したので報告する。