[13p-PA4-1~3] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[13p-PA4-1] Trench Patterning of Ge surface by Graphene-Assisted Chemical Etching

〇(M1)Ryo Mikurino¹, Ayumi Ogasawara¹, Tomoki Hirano¹, Kentaro Kawai¹, Kazuya Yamamura¹, Kenta Arima¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Catalyst assisted chemical etching, nano carbon material, semiconductor surface

我々は，溶液中でグラフェンシートと接触した半導体表面が選択的にエッチングされる，グラフェン・アシストエッチングを見出し，窒素ドーピングや温度制御がエッチング速度に与える影響を調査してきた．今回は，グラフェンシートが発現する化学エッチング機能とフォトリソグラフィー技術を組み合わせて，Ge表面にトレンチ加工を試みた結果について報告する．