[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[13p-PA5-10] Photoluminescence of InAs / GaSb superlattice on GaAs substrate using InAs lattice relaxation layer

〇Kouji Maeda¹, Tomohito Ohama¹, Yuki Imamura¹, Masakazu Arai¹ (1.U of Miyazaki)

Keywords:lattice relaxation layer, superlattice, Photoluminescence

InAs膜を格子緩和層としてGaAs基板上にInAs/GaSb超格子をMOVPEにより作成した。その際、格子緩和層を低温成長で2段階成長することにより良好な表面を得ることができた。その格子緩和層と超格子をフォトルミネッセンス法により評価した。