[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-10] InAs格子緩和層を用いたGaAs基板上のInAs/GaSb超格子のフォトルミネッセンスによる評価

〇前田 幸治¹、大濱 寛士¹、今村 優希¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：格子緩和層、超格子、フォトルミネッセンス

InAs膜を格子緩和層としてGaAs基板上にInAs/GaSb超格子をMOVPEにより作成した。その際、格子緩和層を低温成長で2段階成長することにより良好な表面を得ることができた。その格子緩和層と超格子をフォトルミネッセンス法により評価した。