[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[13p-PA5-11] Reduction of Dislocation Using GaSb Buffer in Sb-Based HEMT on GaAs Substrate

〇Goki Ogane¹, Mizuho Hiraoka¹, Takuya Hayashi¹, Munemasa Kunisawa¹, Issei Watanabe^2,1, Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Ryuto Machida², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.TUS, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, semiconductor, Molecular Beam Epitaxy

高速化・低雑音化に優れるHEMTのチャネル材料としてGaInSbが報告されている。しかしながら、課題として電子移動度(μ)が小さいことが挙げられ、μが小さい原因の一つとして、AlSbとGaAsの界面においてⅤ族・Ⅲ族同士のintermixingが起こり、格子欠陥により発生した多くの貫通転位がチャネルに伝播していることが考えられる。本研究ではバッファとして用いるAlSbとGaAsの界面における貫通転位の低減を目的としてGaSb バッファを導入し、積層する材料を変化させ界面における材料のintermixingを改善することで、貫通転位の発生およびチャネル層への伝播を低減し、μの向上に優位であることが示唆された。