[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[13p-PA5-12] Group V Alloy Control of InAs/GaSb Superlattice using Growth Interruption

〇Yuki Imamura¹, Tomohito Ohama¹, Koji Maeda¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:MOVPE, InAs/GaSb superlattice

本研究ではType-II型のヘテロ構造となるInAs/GaSb超格子の有機金属気相成長法(MOVPE)による光デバイスの実現を目指している。前回、InAs/GaSb超格子の歪量の膜厚依存性から成長時にガス切り替えの際にV族の混晶化が起こっていることを報告した。今回は成長中断の影響を調べたので報告する。