The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Fri. Mar 13, 2020 1:30 PM - 3:30 PM PA5 (PA)

1:30 PM - 3:30 PM

[13p-PA5-13] Growth and Characterization of InAlP and GaP Photovoltaic Devices

Masakazu Arai1, Shinnosuke Tsuboyama1, Kensuke Hiwada1, Keisuke Oishi1 (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:MOVPE, Optical wireless power transmission

青色レーザ受光用にバンドギャップが大きなInAlPとGaPの光電変換デバイスを有機金属気相成長により作製した。電極を形成し、青色レーザ照射時の特性評価を行ったので報告する。