[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-14] 超高速成長GaAsおよびInGaPの低温フォトルミネセンス特性

〇生方 映徳¹、ソダーバンル ハサネット³、相原 健人²、大島 隆治²、庄司 靖²、菅谷 武芳²、小関 修一¹、渡辺 健太郎³、中野 義昭⁴、杉山 正和³ (1.大陽日酸㈱、2.産総研、3.東大先端研、4.東大院工)

キーワード：ハライド気相成長法、フォトルミネセンス、高速成長

電力変換効率の高いIII-V族化合物太陽電池は社会実装に向けて低コスト化が期待されている。我々は成長速度の高速化およびHVPE成長法への転換により、コスト問題の解決に向けて取り組んでいる。本報告では低温フォトルミネセンスを用いてMOCVD法/HVPE法で成長されたGaAs膜/InGaP膜の評価を行ったので報告する。HVPE法によるInGaP膜では明瞭かつ強いエキシトン発光ピークが確認されており、よりp型不純物の少ない結晶品位の高いことを示している。【謝辞】本研究は新エネルギー・産業技術総合研究機構（NEDO）の助成によるものである