[13p-PA6-1~2] 15.5 Group IV crystals and alloys

[13p-PA6-1] Formation of Ge/GeSiSn heterostructure by sputter epitaxy method

〇Takahiro Tsukamoto¹, Nobumitsu Hirose², Akifumi Kasamatsu², Toshiaki Matsui², Yoshiyuki Suda³ (1.Univ. Electro-comm., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. Agric. Technol.)

Keywords:sputter epitaxy, GeSiSn, crystal growth

３元素により構成されたGeSiSnは格子定数とバンドギャップを独立に制御可能である。例えば、Geと格子定数整合しながらバンド変調可能であり、GeSiSnを障壁層として用いることで格子定数整合系のGe量子井戸の形成が可能である。これまでに、スパッタエピタキシー法を用いたGeSiSn薄膜の形成や量子効果デバイスの開発を行ってきた。本研究では、Ge/GeSiSnヘテロ構造形成におけるGe及びGeSiSnの膜厚が結晶性に及ぼす効果について報告する。