2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[13p-PA6-1~2] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2020年3月13日(金) 13:30 〜 15:30 PA6 (第3体育館)

13:30 〜 15:30

[13p-PA6-1] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成

塚本 貴広1、広瀬 信光2、笠松 章史2、松井 敏明2、須田 良幸3 (1.電気通信大、2.情報通信研究機構、3.東京農工大)

キーワード:スパッタエピタキシー、GeSiSn、結晶成長

3元素により構成されたGeSiSnは格子定数とバンドギャップを独立に制御可能である。例えば、Geと格子定数整合しながらバンド変調可能であり、GeSiSnを障壁層として用いることで格子定数整合系のGe量子井戸の形成が可能である。これまでに、スパッタエピタキシー法を用いたGeSiSn薄膜の形成や量子効果デバイスの開発を行ってきた。本研究では、Ge/GeSiSnヘテロ構造形成におけるGe及びGeSiSnの膜厚が結晶性に及ぼす効果について報告する。