[13p-PA6-1~2] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13p-PA6-1] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成

〇塚本 貴広¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸³ (1.電気通信大、2.情報通信研究機構、3.東京農工大)

キーワード：スパッタエピタキシー、GeSiSn、結晶成長

３元素により構成されたGeSiSnは格子定数とバンドギャップを独立に制御可能である。例えば、Geと格子定数整合しながらバンド変調可能であり、GeSiSnを障壁層として用いることで格子定数整合系のGe量子井戸の形成が可能である。これまでに、スパッタエピタキシー法を用いたGeSiSn薄膜の形成や量子効果デバイスの開発を行ってきた。本研究では、Ge/GeSiSnヘテロ構造形成におけるGe及びGeSiSnの膜厚が結晶性に及ぼす効果について報告する。