[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-PA8-11] C₆H₁₂/N₂混合気体の高周波プラズマＣＶＤによるa-CNx:H薄膜の作製と構造解析

〇(B)趙 真韜¹、家老 克徳¹、伊藤 治彦¹ (1.Nagaoka Univ. of Tech.)

キーワード：プラズマCVD、アモルファス窒化炭素

窒素をキャリアガス、炭化水素を原料とした高周波プラズマCVD法により、10％程度以下の窒素含有量の水素化アモルファス窒化炭素(a-CNx:H)薄膜を作製することができると報告されている。本研究では原料としてシクロヘキサンを用いて、高い窒素含有率を持つa-CNx:H薄膜を作製した。アモルファス窒化炭素の硬さは窒素含有率([N]/([N]+[C]))と相関があり、窒素含有率が高いほど膜の硬度が高くなると予想されているため、本実験では高周波印加電力を変えて薄膜を作製し窒素含有率を変化させて作製された薄膜の構造解析を行った。