[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-PA8-15] Si含有水素化DLC膜の軟X線照射による局所構造変化

〇神田 一浩¹、田中 祥太郎¹、新部 正人¹、長谷川 孝行^1,2、鈴木 常生³ (1.兵庫県大高度研、2.シンクロトロンアナリシスL.L.C.、3.長岡技科大)

キーワード：アモルファス膜、X線吸収分光、軟X線照射

水素化Si含有DLC(Si-DLC)膜の軟X線による照射効果を調べるために、水素化Si-DLC膜を放射光に照射し、C-K端およびSi-K端近傍X線吸収微細構造（NEXAFS）を測定した。その結果、軟X線照射により水素化Si-DLC膜の表面近傍から水素が脱離して、C-C結合の形成や膜中のSiが酸化してSiO₂を形成することにより、膜表面がX線耐性を持つことで膜内部が保護されることが明らかとなった。