[13p-PA8-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

[13p-PA8-7] Analysis of Binding State of Heat Treated Diamond Wafer (3)

〇Keisuke Matsumoto¹, Kanji Iizuka¹ (1.N.I.T.)

Keywords:Diamond Wafer, X-ray Photoelectron Spectroscopy

近年，通信基地局や衛星通信システムなどの高周波電力増幅器では，高効率かつ高出力な高電子移動度トランジスタ(HEMT)が使用されている．しかし，その出力電力密度は基板材料の熱伝導率に大きく制限される．単結晶ダイヤモンドは物質中最高の熱伝導率を有しているため，基板としてダイヤモンドを用いり，その上にGaAs，GaN等を結晶成長することができれば，高周波出力電力動作が期待できる．しかし，現在ダイヤモンドウエハ上で分子線エピタキシー(MBE)成長をさせるための明確な洗浄方法は報告されていない．
本研究では，単結晶ダイヤモンドウエハ上にGaAsのMBE成長を行う上で，基板の前処理方法の検討を行うことを目的とした．