[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-11] 電気化学的手法を用いたICP-RIE加工n-GaN表面の評価

武田 健太郎¹、山田 真嗣^2,3、渡久地 政周¹、加地 徹²、〇佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.名大未来研、3.アルバック半電研)

キーワード：窒化ガリウム、電気化学的評価、ICP-RIE

n-GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学（PEC）反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場（in-situ）評価する手法を開発した。ICP-RIE加工面に対して本手法を適用し、バイアスパワー（P_bias）とn-GaN表面近傍に導入される損傷深さとの相関について検討した。