[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-16] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの素子特性にバッファ層へのCまたはFeドーピングが及ぼす影響

〇近藤 孝明¹、東中川 洋幸¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：GaN基板、AlGaN/GaN HEMT、バッファ層

GaN基板上AlGaN/GaN HEMTのバッファ層は，絶縁性を得るために不純物のドーピングが一般的である．しかし，これによる特性への影響は明らかではない．そこで，バッファ層にCをドーピングした素子とFeをドープした素子を試作して，サイドゲートを用いてドーピングが素子特性に及ぼす影響を調べた．その結果，Cドープ素子ではチャネルが変調されたのに対し，Feドープ素子は変調されず，外部からの電圧変動に強いことが判明した．