[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-17] 組成傾斜を変えたAlGaNコンタクト層構造を用いたn-AlN層オーミック接合

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN

我々は組成傾斜AlGaNコンタクト層を形成することによって、n型AlNでオーミック接合を得た。今回、コンタクト層の表面側を低Al組成化すること、組成傾斜の度合いを組成によって調節することでオーミック特性の改善を試みた。前回と比べ約2倍電流が増加した。またTLM測定により実効的な抵抗率が減少していることを確認した