[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-19] 高抵抗GaNバッファ層を有するAlGaN/GaN高周波デバイスの低周波Yパラメータ測定によるトラップ評価

〇山田 高寛¹、小林 裕美子¹、齋藤 尚史¹、綿引 達郎¹、柳生 栄治¹、山向 幹雄¹ (1.三菱電機)

キーワード：GaN、高周波デバイス、欠陥