[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-22] 不純物濃度を揃えて電子正孔チャネルを形成したAlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ接合ダイオードの高耐圧特性

〇(M1)尾川 弘明¹、川田 宗一郎¹、櫛田 知義²、岩田 直高¹ (1.豊田工大、2.トヨタ自動車(株))

キーワード：スーパー接合、高耐圧、GaAs

一対の電子正孔チャネルをもつAlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ構造スーパー接合ダイオードの600V耐圧を前回報告した．しかし，この値はGaAsの絶縁破壊電界から想定される耐圧よりも低い．今回はドナー濃度1.1×10¹² cm^-2に対して，10¹⁵ cm^-3の残留アクセプターを考慮して，アクセプター濃度は0.8から1.0×10¹² cm^-2の範囲で4通り検討した．0.9×10¹² cm^-2のアクセプター濃度において空間電荷がつり合ったと推定され，ドリフト領域長113 µmで1200 Vの高耐圧を得た．