[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-25] SiC-SBDのサージ耐量評価と保護効果に関する予備的な検証

〇秋山 肇¹、橋本 祐一²、佐野 弘² (1.福井高専、2.福井県工技センター)

キーワード：炭化ケイ素、ショットキーバリアダイオード、ZnO バリスタ

ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスのサージ耐量を向上させると
共に実装密度の高密度化を図ることを目的としてデバイス内蔵型サージ
保護デバイスの開発を検討している。今回は予備的な調査として市販品
（SiC-SBD、ZnOサージアブゾーバ）をサンプルとしたサージ耐量試験を行ったので
その結果を報告する。尚比較サンプルとしてSi-Diode（PiN）についても同様
の試験を行ったので併せて報告したい。