[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-4] Formation of Thermal Silicon Oxide Layer on GaN

〇(M1)Yuya Kitawaki¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, Thermal Silicon Oxide Layer, XPS

GaN MIS 構造用に種々の絶縁体が検討されているが、Si MOSFET のゲート絶縁膜と
して最も実績のあるSi 熱酸化膜については報告例がない。Si 熱酸化膜は実用されている絶縁膜の
中で最も大きなバンドギャップを有し、大きな伝導帯不連続量も期待されるため、GaN パワー
MOSFET のゲート絶縁膜として有用であると期待される。本発表においては、GaN 上のSi 熱酸化
膜形成について検討した結果を報告する。