[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-5] Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性におけるAl₂O₃成膜プロセスの影響

〇(M2)東 雅人¹、上沼 睦典¹、吉嗣 晃治²、柳生 栄治²、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.三菱電機（株）)

キーワード：Al2O3、AlGaN、原子層堆積

GaN系高周波デバイスのゲート絶縁膜，表面保護膜として，Al₂O₃等が研究されている．Al₂O₃は一般的に，TMA (trimethyl aluminum, C₃H₉Al)をAl原料とした原子層堆積法(ALD)により成膜されている．本研究では，TMAと比較して原料ガス中の炭素量が少ないDMAH (dimethyl aluminum hydride, C₂H₇Al) をAl原料に用いてAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の電気的特性評価を行った．また，酸化剤としてO₃，またはH₂Oを用い電気的特性の原料ガス依存性等も評価した．