[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-5] Influence of Al₂O₃ Deposition Process on Electrical Properties of Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS Structure

〇(M2)Masato Higashi¹, Mutsunori Uenuma¹, Koji Yoshitsugu², Eiji Yagyu², Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:Al2O3, AlGaN, Atomic Layer Deposition

GaN系高周波デバイスのゲート絶縁膜，表面保護膜として，Al₂O₃等が研究されている．Al₂O₃は一般的に，TMA (trimethyl aluminum, C₃H₉Al)をAl原料とした原子層堆積法(ALD)により成膜されている．本研究では，TMAと比較して原料ガス中の炭素量が少ないDMAH (dimethyl aluminum hydride, C₂H₇Al) をAl原料に用いてAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の電気的特性評価を行った．また，酸化剤としてO₃，またはH₂Oを用い電気的特性の原料ガス依存性等も評価した．