[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-6] GaN-MOSキャパシタを用いた電圧ストレスによる電子トラップ挙動評価

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、福島 悠太¹、稲本 拓朗¹、高島 信也¹ (1.富士電機)

キーワード：GaN-MOSキャパシタ、GaOx界面層、電子トラップ

SiO2/GaN-MOSFETは正電圧ストレスによってVg-Id特性にヒステリシスが発生しており、GaOx界面層と関係していた。その原因がSiO2/GaOx界面への電子トラップと考えられ、MOSキャパシタを用いてストレス電圧印加によるトラップ電子密度を調べた。その結果、正電圧ストレスにより電子が深いトラップに捕獲されることがわかった。