[13p-PA9-1~25] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[13p-PA9-7] Study of Electrical Damage Introduced into p-Type GaN by CF₄ Plasma Treatments

〇Yoshitaka Nakano¹, Akira Toyotome¹, Masahito Niibe², Retsuo Kawakami³ (1.Chubu Univ., 2.Univ. Hyogo, 3.Tokushima Univ.)

Keywords:p-GaN, plasma, electrical damage

直流グロー放電によりCF₄プラズマを照射したp型GaN膜の電気的ダメージ評価を行った。CF₄プラズマ照射により、有効アクセプター濃度は膜表面では減少し、膜内部では大きく増加するというArプラズマ照射時と同様の傾向を示した。一方、光容量測定では、Arプラズマ照射時に顕在化した価電子帯上~1.8eV, ~3.1eV付近に存在する2つの欠陥準位は、CF₄プラズマ処理では大幅に低減していることが分かった。