[13p-PA9-1~25] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-PA9-7] CF₄プラズマ処理したp型GaNの電気的ダメージ評価

〇中野 由崇¹、豊留 彬¹、新部 正人²、川上 烈生³ (1.中部大工、2.兵庫県立大高度研、3.徳島大院工)

キーワード：p型GaN、プラズマ、電気的ダメージ

直流グロー放電によりCF₄プラズマを照射したp型GaN膜の電気的ダメージ評価を行った。CF₄プラズマ照射により、有効アクセプター濃度は膜表面では減少し、膜内部では大きく増加するというArプラズマ照射時と同様の傾向を示した。一方、光容量測定では、Arプラズマ照射時に顕在化した価電子帯上~1.8eV, ~3.1eV付近に存在する2つの欠陥準位は、CF₄プラズマ処理では大幅に低減していることが分かった。