[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-12] ホウ素イオン注入による素子分離技術を用いたGaN-マイクロLEDアレイの作製

〇(M1)吉村 太志¹、東本 行司¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技術科学大学)

キーワード：III-V族窒化物半導体、光集積回路

我々の研究室では光通信分野への応用に向けた研究を行っており，小型化かつ駆動回路との一体化可能な平坦なLED構造の検討を進めている．従来の研究では，ホウ素の注入量が10¹⁹ cm^-3程度の高濃度注入により高抵抗化を実現しているが^[1]，一般的に高濃度注入では注入後のレジスト剥離が困難であるという問題が生じる．そこで，本研究ではGaN系微細マイクロLEDアレイ作製を念頭に，低濃度ホウ素イオン注入による素子分離の可能性を検討した．