[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-2] RF-MBE法によるGaN及びAlNテンプレートへのGaN成長にV/III比が及ぼす影響

〇橘 直純¹、橋本 真里¹、山口 智弘¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大)

キーワード：窒化ガリウム、Ⅴ/Ⅲ比

RF-MBE法を用いてV/III比を変化させGaNを成長させV/III比が及ぼす影響を調査した。テンプレート基板としてMOCVD法によってc面サファイア基板上に成長されたGaNと、HVPE法によってc面サファイア基板上に成長されたAlNを用いた。測定方法は結晶性や表面平坦性、発光特性、電気的特性を調査するためにAFM、分光エリプソメトリー、XRD、PL、ホール効果測定を用いた。