[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-20] AlInNエピタキシャル膜へのSiドーピングとその縦方向導電性評価

〇三好 実人¹、中林 泰希¹、山中 瑞樹¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名工大、2.名城大)

キーワード：AlInN、MOCVD、Electrical conductivity

名工大・名城大ではGaN系可視光LDの高効率化・高出力化に向けて、GaN、InGaNとの大きな比屈折率差が見込めるAlInN厚膜クラッド層の開発に取り組んできた。これまでの研究成果として、c面サファイア上GaN及びGaN自立基板上に厚膜で表面平坦なAlInN膜を成長させることができたことを報告してきた。AlInN膜のLDのクラッド層への適用を考えるには、その導電性制御、ならびに縦方向導電性の評価が不可欠であるが、AlInN/GaN界面には強い分極効果により高濃度の2D電子層が生成するため、ホール効果等の一般的な手法では、AlInN膜の導電性を正しく評価するのが難しい。本研究では、AlInN膜へのSiドーピングと伝送線路モデル（TLM）を利用した縦方法導電性評価を行ったので報告する。