[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-3] GaN層の表面汚染に関する検討(Ⅲ)

〇水野 愛¹、福田 直樹¹、岩元 正紀¹、長田 拓也¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、表面汚染

我々は，GaN層のSi系化合物の表面汚染について検討を進めてきた．前回，このSi系化合物はバッファードフッ酸(BHF)により効果的に除去出来ることを確認した．今回は，BHF処理によるフッ素成分の残留に関して調査を行った．