[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-PB1-4] Growth of GaN layer by UHV sputter-epitaxy method

〇Naoki Fukuda¹, Masaki Iwamoto¹, Takuya Osada¹, A-i Mizuno¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, sputter

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Ⅲ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行なっている．これまでスパッタリング法によるGaN層の成長において，比較的低温で閃亜鉛鉱型構造が得られている．本研究では，閃亜鉛鉱構造をもつGaN層の成長に関する詳細について検討したので報告する．