[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-4] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長

〇福田 直樹¹、岩元 正紀¹、長田 拓也¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタ

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Ⅲ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行なっている．これまでスパッタリング法によるGaN層の成長において，比較的低温で閃亜鉛鉱型構造が得られている．本研究では，閃亜鉛鉱構造をもつGaN層の成長に関する詳細について検討したので報告する．