[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-5] RF-MBE法によりc面サファイア基板上に成長したInN/GaNダブルヘテロ構造

〇伊藤 大貴¹、外山 大貴¹、山木 大樹¹、今井 尚弘¹、逸見 真広¹、土岐 真聖¹、松尾 翔太¹、木内 翔太¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：InN/GaN、ダブルヘテロ構造