[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-6] グラフェン緩衝層を用いたリモートホモエピタキシーによるInN成長

〇松島 健太¹、荒川 真吾¹、大江 佑京¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：半導体、二次元材料

格子整合に制約されない半導体薄膜成長手法として、2D材料を緩衝層として用いて疑似的なホモエピタキシーを行う、リモートホモエピタキシーが提案されている。今回、リモートホモエピタキシーによりグラフェン上にInNを成長し、評価を行った。粒径100 nm程度の微結晶が多数成長していることが分かった。また、InNの表面モフォロジーが異なる結果が得られ、グラフェンの層数に依存する影響が存在すると考えられる。