2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月13日(金) 16:00 〜 18:00 PB1 (第1体育館)

16:00 〜 18:00

[13p-PB1-8] RF-MBE法を用いたN-polar AlN上へのN-polar InNの成長

福田 安莉1、毛利 真一郎1、名西 憓之1、荒木 努1、正直 花奈子2、三宅 秀人2,3 (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード:InN

InNは小さい有効質量、高い移動度を有しているため、高速高周波デバイスへの応用が期待されている。しかし窒素分子の平衡蒸気圧が高いなどの理由で、高温での結晶成長が困難である。一方、N極性InN成長では、In極性InNよりも約100℃高い温度での結晶成長が可能であるとの報告がある。本発表では、高温での結晶成長を目的とした、N極性AlN上へのN極性InNの結晶成長を行い、結晶学的、電気的特性について調査した結果について報告する。