[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-9] RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製とその電気抵抗の圧力依存性の評価

〇齋藤 佑樹¹、宮本 卓哉¹、佐藤 祐喜¹、大鉢 忠¹、吉門 進三¹、竹本 菊郎²、宇野 裕行²、木村 直人²、高崎 正規² (1.同志社大院理工、2.ヤマナカヒューテック)

キーワード：GaN、スパッタ

RFマグネトロンスパッタを用いて作製したGaN薄膜の電気抵抗について，その測定雰囲気気体の種類，圧力を変化させてそれらの依存性について評価を行った。