[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A202-7] RFスパッタリング法による BaSi₂膜の最適な堆積条件の探索

〇根本 泰良¹、佐藤 拓磨¹、召田 雅美²、倉持 豪人²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大、2.東ソー)

キーワード：半導体、スパッタリング