[14a-A205-1~10] 23.1 Joint Session N "Informatics"

[14a-A205-3] Σ3ⁿ network analysis on multicrystalline silicon for photovoltaics

〇Takuto Kojima¹, Kazuya Tajima², Tetsuya Matsumoto¹, Hiroaki Kudo¹, Noritaka Usami² (1.Grad. Info. Nagoya Univ., 2.Grad. Eng. Nagoya Univ.)

Keywords:multicrystalline silicon, EBSD, CSL grain boundary

太陽電池用多結晶シリコンの結晶粒間の双晶形成による方位差を求め，ネットワーク解析を行なった．この手法をEBSD法により結晶方位を取得した多結晶組織に対して適用し，0 ≤n ≤ 3の53 個のΣ3ⁿ 回転操作へ粒間の方位差を帰着した．生成核を同一とする結晶粒は同一のネットワークに結合されることから，本手法により成長核起因によるランダム粒界を判別できることを示した．