[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A302-10] DERI法によるInN成長膜厚の原子層レベルでの制御に向けた成長過程の検討

〇(M1)後藤 直樹¹、荒木 努¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：MBE、InN

InNは高い電子移動度と小さな有効質量をもつ直接遷移型半導体であることから、高速・高周波で動作する電子デバイスや赤外の発光デバイスへの応用が期待されている。々はRF-MBE法による高品質なInN成長の手法としてDERI法の提案をしてきた。このDERI法によりGaN/sapphireテンプレート上のInN成長の初期過程について界面歪の存在やマストランスポートによる表面平坦性改善等の観点から議論する。