[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A302-5] トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型 SBD構造の作製

〇柴原 啓太¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：スパッタリング、GaN、ショットキー