[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A302-6] 縦型p型GaN SBD を用いたショットキー障壁高さの評価

〇柴原 啓太¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：スパッタリング、GaN、ショットキー