[14a-A302-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14a-A302-8] Thermal Strain Analysis on High-Temperature-Annealed Sputtered AlN

〇Yusuke Hayashi¹, Kenjiro Uesugi², Kanako Shojiki³, Hideto Miyake^3,4, Tetsuya Tohei¹, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. Eng., Mie Univ., 4.Grad. Sch. RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlN, Strain Analysis

低転位密度AlN下地基板の作製方法としてスパッタ成膜したAlNに高温熱処理(アニール)を施すことで高品質化する技術が注目を集めている。1700 °Cのアニールで生じる熱歪により基板の反りや残留応力、クラックの発生といった課題があるものの、歪エンジニアリングによりクラックフリー膜厚480 nmにおいて貫通転位密度2×10⁸ cm^-2が達成されている。本報告では熱歪に由来する反り、応力、歪エネルギーといった指標を数値計算することでこれまでの実験結果を包括的に評価し、in situ観察の難しい高温環境下の挙動を材料力学の観点から説明する。