2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A305 (6-305)

角嶋 邦之(東工大)

09:30 〜 09:45

[14a-A305-3] ハーフインチサイズパッケージのレーザビア接続信頼性(II)

居村 史人1,2、井上 道弘1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブのパッケージングプロセスを開発している。Siウェハ上の電極パッドからパッケージの外部端子まで配線を引き出し、電気的導通を確実に得るために、ハーフインチウェハのボンディング、モールディング、レーザビア、モールド上再配線形成のプロセス開発を行い、ビア導通を評価してきた。今回、レーザビア後のビア断面SEM観察を行い、ビアの接続信頼性について評価したので報告する。