[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-4] ミニマルイオンミリング装置の開発と加工特性

〇佐藤 和重^1,4、高橋 俊次³、田 昭治³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.片桐エンジニアリング、4.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、イオンミリング

ミニマルイオンミリング装置を開発し、金属より削れ難い熱酸化膜において60sec加工し、ウェハ半径5mmまで削れ量18nm、ばらつき6％以下とプロトタイプ装置としては良好な加特性を確認した。