[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-6] ミニマルファブを用いた2層Al配線プロセスの開発（２）

〇古賀 和博¹、加瀬 雅²、佐藤 和重¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、アルミ配線、ビアチェーン抵抗

現在、TiNゲートSOI CMOSプロセスを基本とした集積化デバイスやセンサー等への適用フェーズに来ており、集積化や複雑な回路構成に対応する為には多層配線化が必須である。配線プロセスでは下層Alと上層Alとのビアコンタクトが重要である。今回は前回（19秋季講演会）の1～4μm^□ビアに引き続き、0.5μm^□ビアの導通を狙いとした2層Al配線プロセスを検討した。