[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-8] ミニマルファブプロセスによるダイヤモンドSAWデバイスの作製(３)

〇藤井 知¹、遠江 栄希²、柴 育成²、Dario Manelli³、徳田 基³、大江 隆³、小坂 光二³、原 史朗⁴ (1.沖縄高専、2.横河SS、3.TCK、4.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、ダイヤモンド、弾性表面波

我々は、単結晶ダイヤモンドを用い、ミニマルファブプロセスによりSAWデバイスの試作研究を行っている。ミニマルファブの露光機やドライエッチン装置を用いて、アルミ電極形成プロセスを行っている。これまでの試作結果、アルミ電極エッチングプロセスが素子性能に大きな影響を与えている。ウエットエッチングのみで行った用いた場合、2.6GHzにて凡そQ値2000の素子が得られるものの、歩留は悪い。ドライエッチング＋ウエットエッチングの組み合わせでは、電極歩留は向上するものの、AlNに何らかのダメージ等が入りQ値が低下する。また、現在、ミニマルファブ電子ビームリソグラフィとリフトオフプロセスを行っており、Q値向上と高周波化を試みている。当日の発表会にて詳細を報告する。